控制蚀刻偏差的系统及方法
本发明提供一种控制蚀刻偏差的系统，其包括一个制造工程系统，用于精确控制整个图案化制程尺寸；其中，该系统还包括一个光罩数据系统，其与制造工程系统相连接，光罩数据系统用于获取光罩透光率，并将获取的透光率数据传输给制造工程系统；制造工程系统会自动辨识该光罩透光率的范围，并计算出佳的光刻制程尺寸大小。本发明还提供一种控制蚀刻偏差的方法。本发明利用了光罩透光率和蚀刻偏差之间的线形对应关系，制造工程系统从光罩数据系统获取光罩透光率，就可以获取对应的蚀刻偏差，从而计算出佳的光刻制程尺寸大小；本发明利用制造工程系统与光罩数据系统间的连接与反馈，能精确控制整个图案化制程的终尺寸，有效提高了生产效率，节约了生产成本。
控制蚀刻偏差的系统及方法技术领域本发明涉及半导体的蚀刻制程，尤其涉及一种控制蚀刻偏差的系统及方法。 背景技术ADI CD ( Critical Dimension)是光刻显影后特定图形尺寸的大小，AEI CD 是蚀刻后介质层尺寸的大小。Etchbias是蚀刻偏差，其是根据AEI CD与ADI CD 的差值得到。在实际的蚀刻制程中，蚀刻偏差是影响蚀刻的一个重要参数。当工厂进行一个新产品生产时，通常无法事先估算精确的ADI CD数值以获 取所需的AEICD数值，为了将AEICD控制在一个预定的范围，通常预先根据 经验值估算ADICD的取值，采用测试晶圓进行预生产。根据测试晶圆生产出的 刻蚀偏差再调整ADICD的取值，很明显，这种方法通常需要进行很多次实验才 能确定一个恰当的ADI CD取值，生产效率很低。发明内容本发明的目的在于提供一种控制蚀刻偏差的系统，用于精确控制整个图案 化制程尺寸。为实现上述目的，本发明提供的一种控制蚀刻偏差的系统，其包括一个制 造工程系统，用于精确控制整个图案化制程尺寸；其中，该系统还包括一个光 罩数据系统，其与制造工程系统相连接，光罩数据系统用于获取光罩透光率， 并将获取的透光率数据传输给制造工程系统；制造工程系统会自动辨识该光罩 透光率的范围，并计算出佳的光刻制程尺寸大小。本发明还提供一种控制蚀刻偏差的方法，其中，该方法包括如下步骤：a.获 取光罩透光率；b.根据光罩透光率得到蚀刻偏差值。与现有技术相比，本发明利用了光罩透光率和烛刻偏差之间的线形对应关 系，制造工程系统从光罩数据系统获取光罩透光率，就可以获取对应的蚀刻偏差值，从而计算出佳的光刻制程尺寸大小；本发明利用制造工程系统与光罩 数据系统间的连接与反馈，能精确控制整个图案化制程的终尺寸，无需采用测 试晶圆进行实验，有效提高了生产效率，节约了生产成本。附图说明通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其实用新型的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为： 图1为晶圆完成蚀刻制程后的剖视示意图。具体实施方式请参阅图l，在蚀刻制程完成后，晶圆l上覆盖的一层金属介质层3，在金 属介质层3上覆盖了 一层光阻5。本发明利用了蚀刻偏差（Etch bias)与光罩透光率（Mask transmission rate) 之间的关系以及蚀刻偏差是AEICD与ADICD的差值。其中，ADI CD (Critical Dimension)是光刻显影后特定图形尺寸的大小，AEI CD是蚀刻后介质层尺寸 的大小。在本发明的实施例中，以0.13jum的制程为例，但本发明也适用于其 他制程。请参阅表1,其列举了蚀刻偏差与光罩透光率（Mask transmission rate)基 本成线形关系。在此情况下，假定制程所需AEI CD的目标值为0.2 n m，就可 以从这个线性关系推算出ADI CD的佳值。表1<table>table see original document page 4</column></row> <table><table>table see original document page 5</column></row> <table>
本发明利用制造工程系统(MES, Manufacturing Engineering System)控制蚀 刻偏差系统。本发明控制蚀刻偏差的系统的特点在于制造工程系统与光罩数据 系统相连接，制造工程系统用于精确控制整个图案化制程尺寸，光罩数据系统 用于获取光罩透光率，并将获取的光罩透光率的数据传输给制造工程系统。制造工程系统已经存储了表1所列的所有数据，当接收到光罩透光率后， 制造工程系统会自动辨识该光罩透光率的范围，并计算出对应的ADI CD佳 值，根据该ADI CD的耳又值控制蚀刻制程所造成的偏差。
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